AI視界深圳新聞網2025年10月18日訊（記者 李豫軍）10月15日，2025灣區半導體產業生態博覽會（灣芯展）在深圳會展中心（福田）盛大啟幕。在這場匯聚600余家全球半導體領軍企業的行業盛會上，國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺（簡稱“深圳綜合平臺”）攜多項核心技術成果驚艷亮相，以“開放共享”之姿，為破解產業“卡脖子”難題注入強勁動能。
技術成果發布：不只是領先，更是“破局”
功率半導體是現代電力電子器件、射頻器件的“核心潛力股”，尤其在高壓、高頻、大功率場景中不可或缺。從碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）到氧化鎵、金剛石等超寬禁帶材料，半導體技術正不斷突破天花板。
深圳綜合平臺作為全球首個集科研與中試于一體的8吋先進功率半導體開放共享平臺，已構建從研發到產業化的全鏈條能力，設立四大中心，服務超30家合作伙伴、10家中試客戶、45家檢測客戶，并與8所高校開展科研合作或共建聯合實習基地。
2025年，平臺完成技術平臺1.0，實現多項關鍵技術突破：
襯底加工：率先實現碳化硅激光剝離技術，8吋單片總損耗＜75μm，切割時間≤20分鐘，成本降低26%，整體性能達到國際領先水平。
碳化硅外延：突破200μm超厚膜缺陷控制技術，并在商用4°偏角襯底上首次實現3C-SiC高質量外延生長，為解決柵氧遷移率難題開辟新路徑。
1200V SiC平面柵與溝槽柵：突破超窄元胞結構、超高深寬比工藝等關鍵技術，器件性能達到業界先進水平，并構建全流程自主可控8英寸溝槽柵工藝平臺。
GaN外延與器件：高壓1200V外延達到國際先進水平，面向車規應用；低壓15-40V外延突破選區二次外延技術，為AI供電芯片掃清障礙。
全系GaN器件平臺：在25V至650V電壓范圍實現行業領先，關鍵技術全面突破。
平臺還自研業界首臺多功能超寬禁帶材料表征系統，并基于國產材料制備出國內首個氮化鋁/富鋁鎵氮HMET器件。同時，自主仿真設計平臺與PDK 0.5版本也已上線，為芯片設計企業提供堅實支撐。
未來，平臺進一步提升功率密度和器件可靠性，同時在第四代器件方面取得突破，如推出GaN/SiC混合場效應晶體管、SiC 20kV IGBT等。
生態共建：14家伙伴簽約，EDA平臺正式啟用
獨行快，眾行遠。展會期間，深圳綜合平臺與14家產業鏈伙伴完成合作簽約，覆蓋材料、器件、工藝與應用全環節，推動技術成果加速落地。
同時，在國創中心總部指導下，國家第三代半導體技術創新中心EDA設計公共平臺正式揭牌啟用。該平臺將直面設計與流片驗證的“卡點”，助力客戶基于國產EDA工具與中試線完成芯片驗證，打造自主可控的設計仿真支撐體系。
國產裝備集體亮相：123臺設備完成驗證，16臺為首臺套
在國產化進程中，深圳綜合平臺攜手北京北方華創、大族半導體、上海精測等13家國產設備商，共同點亮16臺國產首臺（套）設備標識，標志著8吋寬禁帶半導體國產工藝設備驗證成果正式發布。
截至目前，平臺已完成123臺套國產設備的驗證與熟化，其中16臺為細分領域首臺套，關鍵材料國產化驗證率高達96%，有力推動產業鏈自主可控。
開放共享，共創“芯”未來
此次灣芯展之行，深圳綜合平臺不僅展示了技術平臺1.0的硬核實力，更通過EDA平臺啟用、國產設備驗證、PDK/MPW發布等舉措，彰顯其推動中國半導體產業自主可控與高質量發展的決心。未來，平臺將繼續秉持開放理念，與全球伙伴攜手，共創半導體新未來。
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